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技術(shù)支持
單層芯片電容參數(shù)簡介
發(fā)布者 : admin 發(fā)布時間 : 2018/05/26 09:05:46

電容器的基本模型是一種中間被介質(zhì)材料隔開的雙層導體電極所構(gòu)成的單片器件。它是以貯存電能和提供容量為主要特征的電子元件,同時還具有能順利通過交流電而不讓直流電通過的性質(zhì)。


電容器可以在電路中能發(fā)揮藕合、旁路、諧振、貯能、濾波、隔直流等作用,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、儀器、和家用電器類產(chǎn)品中:計算機、雷達、激光、測量儀器、通訊(電話、手機)、視頻產(chǎn)品(音響、功率放大器、電視、收錄機、DVD)等傳統(tǒng)及新型數(shù)字化消費類整機產(chǎn)品。


電容器的幾個重要參數(shù)


1、電容量(C:capacitance)

電容器的基本特性是能夠儲存電荷,儲存電荷量(Q)與電容量(C)和外加電壓(V)成正比。

即:Q=CV

電容量的單位:1法拉=103毫法=106微法=109納法(毫微法)=1012皮法=1015飛法

影響電容量的因素:C=KA/ft A:L*W

其中,k:為介電常數(shù)

    f:為換算因子 f=113.1(尺寸用mm示時  f=4.452(尺寸用inch表示時)

    T:為電容厚度

    C:為皮法(微微法)


介電常數(shù)k)值:它取決于電容器中填充介質(zhì)的陶材料。使用的環(huán)境 工作電壓和頻率及工作的時間(期工作的穩(wěn)定性)等對不同的介質(zhì)會有不同的影響。介電常數(shù)(k)值越大,穩(wěn)定性,可靠性和耐性能差。前最常用的陶瓷電容器介質(zhì)有三個類型:COGNPO,K值為10-100;X7R較穩(wěn)的材料,K2000-4000;Y5VZ5U一般用途的材料,K5000-25000。在我國的標里分為I類瓷及II類 瓷兩種。述材料中COGNPO為超穩(wěn)定材料。-55℃~+125內(nèi)電容器的容量變化不超過±30ppm/。


2、損耗角正切值

損耗(DF)在電場的作用下,電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的熱量,這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗,通常用損耗角正切值來表示。電容器的損耗是電容器一個非常重要的指標,是衡量質(zhì)的要標志。

損耗最為標準的寫法,使用百分率的寫法。

例如:COG<10*10-4,X7R<250*10-4Y5V<500*10-4。

在高頻應(yīng)用時,常用損耗角正切值的倒數(shù),稱為Q值”

3、絕緣電阻

絕緣電阻:用來表明漏電流大小的,其測量值與電容量測定值成反比。

其中,物理量表示為Ri,英文縮寫為IR。

工業(yè)標準中絕緣電阻最小值是由產(chǎn)品絕緣電阻(Ri)和容量(C)的乘積所決定的,單位為歐姆-法拉,又可表示為兆歐-微法,也可寫為時間常數(shù)(S)。

      4額電壓和耐電壓

額定電壓UR  定義為可以連續(xù)施加在電容器上的最大直流電壓或脈沖電壓的峰值。

電容器的耐電壓取決于介質(zhì)材料的抗電強度以及電容器的結(jié)構(gòu),主要是介質(zhì)厚度。耐 電壓的測試標準為2.5倍額定電壓UR

抗電強度是介質(zhì)材料所能承受的最大電場強度,而不發(fā)生電擊穿的能力的測定值,通常用伏特/mil(0.001英寸)或千伏/mm表示。因此,測量電容器的擊穿電壓可直接評估器件性能,也能間接反映介質(zhì)材料的抗電強度。

還有幾個值得關(guān)注的參數(shù):TCC:溫度容量特性ESR:等效串聯(lián)電阻;ESL:等效串聯(lián)電感;Q值:是DF、ESR、ESL的綜合,在高頻電路中加倍關(guān)注。在這不一一累述。

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